Samsung představil 48vrstvé čipy 3D V-NAND flash s kapacitou 32 GB

Na začátku měsíce se Toshiba pochlubila novými 32GB čipy 3D NAND flash, které jsou vyráběné 15nm technologií a mají 48 vrstev (BICS).

Podobný milník nyní uvádí i společnost Samsung, která technologii nazývá 3D V-NAND. Čipy mají stejnou kapacitu 256 Gb, v přepočtu tedy 32 GB, přičemž se jedná o 48 vrstev s třemi bity na buňku. Jednotlivé vrstvy obsahující dohromady 85,3 miliard buněk jsou propojené celkem 1,8 miliardy spojů.

48_Main.jpg
Nové 32GB čipy 3D V-NAND od Samsungu

Nové čipy mají o 30 % nižší spotřebu a dvakrát větší kapacitu než starší 128bitová generace s 32 vrstvami. Výtěžnost je při výrobě až o 40 % lepší, což by měl znamenat i snížení ceny za gigabajt u nadcházejících SSD.

Diskuze (3) Další článek: Dropbox je další, kdo podporuje USB klíč. FIDO chce být standardem

Témata článku: , , , , , , , , , , , , , , , ,