Na začátku měsíce se Toshiba pochlubila novými 32GB čipy 3D NAND flash, které jsou vyráběné 15nm technologií a mají 48 vrstev (BICS).
Podobný milník nyní uvádí i společnost Samsung, která technologii nazývá 3D V-NAND. Čipy mají stejnou kapacitu 256 Gb, v přepočtu tedy 32 GB, přičemž se jedná o 48 vrstev s třemi bity na buňku. Jednotlivé vrstvy obsahující dohromady 85,3 miliard buněk jsou propojené celkem 1,8 miliardy spojů.
Nové 32GB čipy 3D V-NAND od Samsungu
Nové čipy mají o 30 % nižší spotřebu a dvakrát větší kapacitu než starší 128bitová generace s 32 vrstvami. Výtěžnost je při výrobě až o 40 % lepší, což by měl znamenat i snížení ceny za gigabajt u nadcházejících SSD.