Zavřít reklamu

Čipová divize Samsungu Samsung Semiconductor odhalila „zvláštní typ paměti DRAM“, o kterém tvrdí, že je ideální pro mobilní umělou inteligenci a herní aplikace. Nazývá se LLW DRAM, což je zkratka pro Low Latency Wide IO.

Reklama

Samsung původně oznámil, že vyvíjí LLW DRAM, již letos v lednu na akci Tech Day. O novém typu paměti také krátce hovořil v říjnu v rámci konference Memory Tech Day, kde představil řešení HBM3E Shinebolt a LPDDR5X CAMM2.

Nyní korejský gigant svůj LLW čip připomněl prostřednictvím krátkého videa. Z něj vyplývá, že tento čip je součástí čipsetu Samsungu, což dává smysl vzhledem k jeho tvrzením o „nízké latenci“.

Samsung neřekl, v kterém telefonu bude jeho nová paměťová technologie debutovat, nabízí se však, že to bude už řada Galaxy S24. Před pár dny koneckonců potvrdil, že právě ta bude „AI telefonem“, o kterém hovořil začátkem listopadu.

Když už jsme u pamětí a řady Galaxy S24, sluší se zmínit o novém úniku, který říká, že řada bude disponovat prakticky stejnou kapacitou operační paměti. Jedinou změnu bude podle legendárního leakera Ice Universe představovat model S24+, který se prý kromě varianty s 8 GB RAM bude nabízet i ve verzi s 12 GB. Základní model S24 má být stejně jako S24 vybaven 8 GB a model S24 Ultra 8 a 12 GB operační paměti (o nejvyšším modelu některé dřívější úniky uváděly, že bude dostupný i ve verzi s 16 GB RAM). Řada Galaxy S24 bude s největší pravděpodobností představena již v lednu.

Špičkové Samsungy s bonusem až 10 000 Kč koupíte zde

Diskuze k článku

    Uz je jasne ze to bude totalni sutka. Od galaxy s20 mam novy kazdy rok
    Ted ale to bude misto upgrade downgrade. Nechavam s23 Ultra. Uvidime, zdali s25 Ultra bude zajimavejsi.

Vložte vlastní komentář

celý text

Dnes nejčtenější

.